基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

三相全控桥式整流电路实验装置的研制

介绍了开发三相全控桥式整流电路实验装置的背景;叙述了TC787芯片的内部结构、工作原理、特点及芯片的各个管脚的功能;详细介绍了该实验装置的触发电路的设计思路、设计结果和工作原理;介绍了该实验装置的主电路部分的结构和特点。该实验装置性能可靠,符合本科生实验要求。     

抽油机减速箱缺油保护系统的研制

抽油机减速箱损坏的主要原因之一是减速箱润滑油不足。目前,没有对抽油机减速箱内的油量进行实时监测,减速箱缺油后,抽油机不能立即停机,使减速箱在缺油状态下长期运转,造成齿轮、轴承损坏,甚至报废。为解决这一问题,研制了一种实时报警装置,当油量少于设定的最小值时,可以在现场发出报警信号,并对抽油机采取强制停机措施,起到保护减速箱的作用。     

Windows2000环境下实时控制系统的软件实现

文章介绍了在windows2000环境下通过编写WDM（Windows Driver Model）设备驱动程序实现实时数据采集和控制的一种方法。采用研华数据采集卡PCL818L产生中断信号．通过编写WDM驱动程序实现了在windows2000环境下转台的位置控制。并在实验中调试通过。实验结果表明：在采样频率为1KHz的情况下。控制系统很好实现了输出对输入的跟踪，证明了采用方法的正确性。该方法解决了windows2000环境下的实时性问题，为在windows环境下实时控制系统的实现提供了有益的尝试。     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

新型潜油电泵防砂防垢吸入口的研究应用

针对中原油田矿化度高、出砂量大的开采现状,设计了潜油电泵防砂防垢吸入口,作为电动潜油泵提液系统的辅助设备,对井液先通过滤网防砂管工艺装置进行砂粒过滤,同时通过高强磁防垢器进行磁化处理,使矿化物分子结构改变,结垢缓解。解决了多砂和矿物质结垢而造成的泵卡及泵结垢等技术难题,现场应用效果良好。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

电荷耦合器件积分时间对微型成像系统成像质量的影响

在光圈固定的情况下，确定合适的积分时间对于提高微型电荷耦合器件(CCD)成像系统的成像质量，增强微型飞行器的侦察能力具有十分重要的意义。本文讨论了决定CCD积分时间的各种因素，重点研究了适用于微型飞行器的CCD成像系统的积分时间与像移的关系，并进一步推导了计算像移量的相关数学模型。利用该模型对不同积分时间内采集的运动图像进行了像质评价，结果表明，在保证曝光量的前提下，当像移量被限制在1个像素内时，可以获得相对理想的运动图像像质。     

海底输油管道内智能引导装置研究

对海底输油管道内智能引导装置研究的必要性进行了分析;介绍了国内外在该领域的技术发展状况。针对智能引导装置的作业对象和环境,提出了技术要求和指标,对智能引导装置进行了总体设计,分析了其作业机理,建立了力学模型并进行了计算。对智能引导装置的控制系统进行了设计,提出了设计过程中应注意的问题。所研制的管内轮式智能引导装置具有质量轻、输出牵引力大、体积小、结构紧凑等特点,对较小管内空间类似系统的设计有一定参考价值。